電荷転送素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245744
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106552
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】固体撮像素子の受光部に隣接する転送レジスタに適用した場合において、転送レジスタ上に形成される遮光膜による入射光の「けられ」の頻度を低減して、受光感度の向上を図る。【構成】 N形のシリコン基板11に電荷転送用のN形の転送チャネル領域14が形成され、この転送チャネル領域14上に複数の転送電極20を1組とする転送電極群が転送チャネル領域14に沿って一方向に配列され、転送電極群中、対応する転送電極20をそれぞれシャントするシャント用配線層22が形成された垂直転送レジスタにおいて、シャント用配線層22を、下層の転送電極20とコンタクトホールを介して直接コンタクトされる薄膜の多結晶シリコン層22aと、この薄膜の多結晶シリコン層22a上に積層された上層のAl層22bにて形成して構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に電荷転送用の転送チャネル領域が形成され、該転送チャネル領域上に複数の転送電極を1組とする転送電極群が上記転送チャネル領域に沿って一方向に配列され、上記転送電極群中、対応する転送電極をそれぞれシャントするシャント用配線層が形成された電荷転送素子において、上記シャント用配線層は、下層の上記転送電極とコンタクトホールを介して直接コンタクトされる薄膜の導電膜と、該薄膜の導電膜上に積層された上層導電膜から形成されていることを特徴とする電荷転送素子。

IPC (3件)：

H01L 29/762 , H01L 21/339 , H04N 5/335

引用特許：

出願人引用 (8件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-333968 出願人：ソニー株式会社
固体撮像装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-014519 出願人：松下電子工業株式会社
特開平4-239771

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審査官引用 (4件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-333968 出願人：ソニー株式会社
固体撮像装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-014519 出願人：松下電子工業株式会社
特開平4-239771

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