特許
J-GLOBAL ID:200903084815464588
超伝導平面回路およびその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊藤 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-028086
公開番号(公開出願番号):特開平10-224110
出願日: 1997年02月12日
公開日(公表日): 1998年08月21日
要約:
【要約】【課題】 動作温度が上昇したときに、超伝導薄膜を用いた超伝導フィルタから常伝導薄膜を用いた常伝導フィルタに自動的に切り替え、所望のフィルタ動作を得る。【解決手段】 対向配置された一対の誘電体基板10、20間に、回路パターン30が形成され、誘電体基板10、20の外側の面にグランドプレーン40が形成されてストリップライン構造の超伝導フィルタを構成している。回路パターン30は、内部が常伝導薄膜32にて形成され、外周部が超伝導薄膜31にて形成されている。極低温で動作させた場合は、外周部の超伝導薄膜31に電流が集中して流れるため、超伝導フィルタとして機能し、動作温度が上昇した場合は、内部の常伝導薄膜32に電流が流れるので、自動的に超伝導フィルタから常伝導フィルタに切り替えて動作させることができる。
請求項(抜粋):
対向配置された第1、第2の誘電体基板(10、20)のそれぞれの一方の面の間に、超伝導薄膜を用いて形成された回路パターン(30)を有し、前記第1、第2の誘電体基板(10、20)のそれぞれの他方の面に、超伝導薄膜(41)と常伝導部材(42)とが順次重なった構造のグランドプレーン(40)を有するストリップライン構造の超伝導平面回路において、前記回路パターン(30)は、内部に常伝導薄膜(32)が配置され、外周部に超伝導薄膜(31)が配置された構造になっていることを特徴とする超伝導平面回路。
IPC (4件):
H01P 1/203 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
, H01P 3/08
, H01P 7/08 ZAA
FI (4件):
H01P 1/203 ZAA
, H01L 39/24 ZAA F
, H01P 3/08
, H01P 7/08 ZAA
引用特許:
審査官引用 (8件)
-
超伝導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-187747
出願人:日本電気株式会社
-
特開平2-017701
-
超伝導細線の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-229830
出願人:富士通株式会社
全件表示
前のページに戻る