特許
J-GLOBAL ID：200903084816462910

半導体ウエハの位置決定方法およびこれを用いた装置

発明者：
池田 諭

池田 諭 について

, 
山本 雅之

山本 雅之 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について

, 
日東精機株式会社

日東精機株式会社 について


代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-053541
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237501
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 周縁に不連続部分を有する半導体ウエハの取り扱い位置を決定する半導体ウエハの位置決定方法およびこれを用いた装置を提供する。【解決手段】 半導体ウエハWの表面に貼り付けられた保護テープの種類に応じた所定波長の光の強度をコントローラ21により調節し、当該半導体ウエハWの保持された保持ステージ7を回転走査する。このとき、ウエハWに形成された位置決め用のVノッチ部分では、その表面を覆う保護シートから光が透過し、受光センサ21により受光される。この受光センサ21の受光量の変化に基づいて、検出部位の位置を特定する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
保護シートの貼り付けられた略円板状の半導体ウエハの周縁部分にある位置決め用の検出部位を検出し、当該検出結果を利用して半導体ウエハの取り扱い位置を決定する半導体ウエハの位置決定方法において、 保護シートの貼り付けられた前記半導体ウエハに向けて、当該保護シートに応じた所定波長の光を投光手段から投光する投光過程と、 前記半導体ウエハに投光された面上の光の強度を調節する光強度調節過程と、 前記投光手段から半導体ウエハに向けて投光された光を、当該半導体ウエハを挟んで投光手段と対向配備された受光手段により受光する受光過程と、 前記半導体ウエハの周縁部分にある検出部位の位置を前記受光手段の受光量の変化に基づいて判定する判定過程と、 前記判定過程の判定結果によって求まる前記検出部位の位置情報を利用し、当該半導体ウエハの取り扱い位置を決める位置決定過程と、 を備えたことを特徴とする半導体ウエハの位置決定方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/68
FI (2件)：
H01L21/02 A ,  H01L21/68 M
Fターム (10件)：
5F031CA02 ,  5F031JA05 ,  5F031JA07 ,  5F031JA15 ,  5F031JA34 ,  5F031JA35 ,  5F031JA36 ,  5F031JA51 ,  5F031KA13 ,  5F031KA14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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