特許
J-GLOBAL ID：200903084848103530

半導体装置及びその製造方法

発明者：
石倉 幸治

石倉 幸治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156363
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354540
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 モールドに対するゲート電極の庇下の絶縁膜を除去することによって、ソース電極またはドレイン電極とゲート電極との間の寄生容量を低減させ、RF特性を向上させることを課題とする。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板に設けられ、且つ、上部両側に張り出し部を有するT型形状のT型ゲート電極と、前記T型ゲート電極の両側で、且つ、前記半導体基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記T型ゲート電極を覆う形で形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の表面にさらに形成されたモールド保護膜とを備えた半導体装置において、前記半導体装置にエッチング液を注入するための開口穴を開口し、前記開口穴から前記エッチング液を注入して、前記T型ゲート電極の庇下にある絶縁膜をエッチングすることにより、前記T型ゲート電極の前記庇下を空隙とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けられ、且つ、上部両側に張り出し部を有するT型形状のT型ゲート電極と、前記T型ゲート電極の両側で、且つ、前記半導体基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記T型ゲート電極を覆う形で形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の表面にさらに形成されたモールド保護膜とを備えた半導体装置において、前記半導体装置にエッチング液を注入するための開口穴を開口し、前記開口穴から前記エッチング液を注入して、前記T型ゲート電極の庇下にある絶縁膜をエッチングすることにより、前記T型ゲート電極の前記庇下を空隙とすることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L 29/80 F ,  H01L 21/302 P ,  H01L 21/306 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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