化学増幅型レジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-300866
公開番号（公開出願番号）：特開2003-057815
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】ArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に改善されたラインエッジラフネスを与えるポジ型化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】それ自身はアルカリに不溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂、酸発生剤、及びビアダマンタン誘導体を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。ビアダマンタン誘導体として、下式(I)(I)(式中、R1、R2は、互いに独立に水素又はエステル基を表す。)で示される化合物が挙げられる。

請求項（抜粋）：

それ自身はアルカリ水溶液に不溶であるが、酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂、酸発生剤、及びビアダマンタン誘導体を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (12件)：

2H025AA01 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025CC20 , 2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

レジスト組成物、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-244161 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ, 出光石油化学株式会社
フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-074506 出願人：日本電気株式会社
ポジ型感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-311328 出願人：富士写真フイルム株式会社

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