特許
J-GLOBAL ID:200903085258506708

圧電/電歪デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 千葉 剛宏 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-264571
公開番号(公開出願番号):特開2003-163388
出願日: 2002年09月10日
公開日(公表日): 2003年06月06日
要約:
【要約】【課題】圧電/電歪デバイスの耐衝撃性を高める。【解決手段】相対向する一対の薄板部12a及び12bと、これら薄板部12a及び12bを支持する固定部14と、一対の薄板部12a及び12bの先端部分に可動部20a及び20bを有するセラミック基体16を具備した圧電/電歪デバイス10Aにおいて、可動部20a及び20bのうち、固定部14に対向する部分を階段状に形成して、各取付面34a及び34bに段差210を設ける。また、固定部14の内壁のうち、薄板部12a及び12b近傍にそれぞれ切込み(切欠き)212を形成し、更に、切込み212の内壁のうち、薄板部12a及び12b側の内壁に段差214を設ける。
請求項(抜粋):
相対向する一対の薄板部と、これら薄板部を支持する固定部と、前記一対の薄板部の先端部分に可動部を有するセラミック基体を具備し、少なくとも1つの薄板部の内壁に前記可動部と一体とされた少なくとも1つの段差が形成されていることを特徴とする圧電/電歪デバイス。
IPC (4件):
H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/187
FI (6件):
H01L 41/08 J ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/18 101 C ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/08 N
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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