特許
J-GLOBAL ID：200903085289511785

ポジ型レジスト積層物

発明者：
安波 昭一郎

安波 昭一郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331568
公開番号（公開出願番号）：特開2001-147538
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において、遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有するポジ型レジスト積層物を提供すること、また、特に0.2μm以下の微細なライン/スペースにおいて、ラインうねりの少ないレジストパターンを与え、更に現像残査の発生量の少なく、高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供すること。【解決手段】基板上に第1レジスト層及びこの層上に第2レジスト層を有するポジ型レジスト積層物であって、〔I〕第1レジスト層が、特定の繰返し単位を含むポリマーを含有し、且つ熱により硬化する層であり、〔II〕第2レジスト層が、(b)酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン、及び(c)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト積層物。
請求項（抜粋）：
基板上に第1レジスト層及びこの層上に第2レジスト層を有するポジ型レジスト積層物であって、〔I〕第1レジスト層が、(a-1)下記一般式(1)で表される繰返し単位を含むポリマーを含有し、且つ熱により硬化する層であり、〔II〕第2レジスト層が、(b)酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン、及び(c)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト積層物。【化1】式中、R1は水素原子、アルキル基、又はハロゲン原子を表し、L1、L2は、各々独立に、2価の連結基を表し、Mは芳香族基を表し、a、b、cは、各々独立に、0又は1を表す。
IPC (4件)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511
FI (4件)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511
Fターム (29件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC53 ,  2H025BC78 ,  2H025BC86 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025DA13 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096GA37 ,  2H096KA06 ,  2H096KA18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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