特許
J-GLOBAL ID:200903085317852399
少なくとも1つのビーム放射型の半導体素子を備えた装置およびビーム放射型の半導体素子の動作温度を安定させる方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-052031
公開番号(公開出願番号):特開2005-244242
出願日: 2005年02月25日
公開日(公表日): 2005年09月08日
要約:
【課題】ピーク波長を簡単に安定させることができるビーム放射型の半導体素子を備えた装置を提供する。ビーム放射型の半導体素子を安定させる簡単な方法を提供する。【解決手段】半導体素子には半導体素子を加熱する少なくとも1つの電気的な加熱素子が配属されている。半導体素子には電気的な加熱素子が配属されており、半導体素子の動作温度が所定の目標値を下回る場合には、半導体素子を加熱素子を用いて加熱する。【選択図】図1A
請求項(抜粋):
少なくとも1つのビーム放射型の半導体素子(1)を備えた装置において、
前記半導体素子(1)には該半導体素子(1)を加熱する少なくとも1つの電気的な加熱素子(2)が配属されていることを特徴とする、少なくとも1つのビーム放射型の半導体素子(1)を備えた装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
5F173MB03
, 5F173MD44
, 5F173MD45
, 5F173ME58
, 5F173SE01
, 5F173SF17
, 5F173SF32
, 5F173SF33
, 5F173SF47
, 5F173SF68
引用特許:
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