特許
J-GLOBAL ID：200903040136625575
半導体光源装置、および、その制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021273
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220213
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体光源が長期の使用により劣化した場合における波長変動を低減すると共に、周囲温度の変動の波長への影響を低減することにより波長管理を容易にする。さらに、一方の半導体光源に障害が生じた際には瞬時に代替素子に切り換えることができるようにする。【解決手段】 14は直流バイアス電流相補制御回路であり、DFB-LD(分布帰還型レーザダイオード素子)11に注入する直流バイアス電流と、DFB-LD12に注入する熱補償用直流バイアス電流を制御する。DFB-LD11に注入する直流バイアス電流(Ibias)とDFB-LD12に注入する熱補償電流(Icomp)は、半導体基板10における発熱量の合計を常に一定に保つべく、直流バイアス電流相補制御回路14によって制御される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に近接して配置された一対の半導体光源と、前記一対の半導体光源の少なくとも片方からの出力光強度をモニタする少なくとも一つの受光素子と、前記一対の半導体光源の片方からの出力光強度を一定にすると共に、前記一対の半導体光源からの発熱量の和が一定となるように前記一対の半導体光源の各々に注入する電流を相補的に制御する電流制御回路とを具備したことを特徴とする半導体光源装置。
引用特許：
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