半導体デバイス用内部電圧発生器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067470
公開番号（公開出願番号）：特開平7-303369
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】バックバイアス電圧発生器、内部高電圧発生器、内部パワー電圧発生器等としての使用に適した半導体メモリデバイス用内部電圧発生器であって、チャージポンピング量をリニアに制御して電圧を一定に維持させることが可能な、半導体メモリデバイス用内部電圧発生器を提供する。【構成】クロック信号を整流して直流電圧を発生するチャージポンプ31と、制御信号Scに従って発振周波数を変化する可変周波数発振器33と、チャージポンプ31の出力電圧によって維持される対象電圧Voutを検出して可変周波数発振器33を制御する制御信号Scを発生する電圧制御手段35とからなり、可変周波数発振器33は発振器と電力制御手段とから、電圧制御手段35は電圧レベル検出器と発振制御部とからなる。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス内に必要な電圧を発生し、一定のレベルに維持し、供給する、半導体デバイス用内部電圧発生器であって、クロック信号を整流して直流電圧を発生するチャージポンプと、制御信号に従って発振周波数を変化することが可能な可変周波数発振器と、上記チャージポンプの出力電圧によって維持される対象電圧の電圧を検出し、上記可変周波数発振器を制御する上記制御信号を発生する電圧制御手段と、を含んでなることを特徴とする半導体デバイス用内部電圧発生器。

IPC (4件)：

H02M 3/07 , G11C 11/407 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F , H01L 27/04 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-280767
基板電位発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196361 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
バックバイアス電圧発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-145809 出願人：三菱電機株式会社

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