特許
J-GLOBAL ID：200903085352371670

膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器

発明者：
森山 英和

森山 英和 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-106592
公開番号（公開出願番号）：特開2004-305989
出願日： 2003年04月10日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】細い膜パターンを、精度よく安定して形成することができる薄膜パターン形成方法を提供する。【解決手段】基板P上にバンクBを形成するバンク形成工程と、バンクBによって区画された領域Aに機能液Lを配置する材料配置工程と、機能液Lに含まれる所定物質を熱処理により析出させる熱処理工程とを有する。熱処理工程は、所定物質の析出が少ない温度条件で所定物質を含む化合物L1を溶融させる溶融工程と、溶融した前記化合物L2から所定物質を析出させる析出工程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
機能液を基板上に配置して所定物質を含む膜パターンを形成する方法であって、 前記基板上にバンクを形成するバンク形成工程と、前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する材料配置工程と、前記機能液に含まれる所定物質を熱処理により析出させる焼成工程とを有し、 前記焼成工程は、前記所定物質の析出が少ない温度条件で前記所定物質を含む化合物を溶融させる溶融工程と、前記溶融した前記化合物から前記所定物質を析出させる析出工程とを含むことを特徴とする膜パターン形成方法。
IPC (5件)：
B05D3/02 ,  B05D1/06 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/027 ,  H05K3/10
FI (5件)：
B05D3/02 Z ,  B05D1/06 Z ,  G02F1/1368 ,  H05K3/10 D ,  H01L21/30 502D
Fターム (36件)：
2H092JA24 ,  2H092MA02 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075BB28Z ,  4D075BB29Z ,  4D075BB93Z ,  4D075BB95Z ,  4D075CA22 ,  4D075DA04 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB31 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA10 ,  4D075EC08 ,  4D075EC10 ,  5E343AA02 ,  5E343AA23 ,  5E343AA26 ,  5E343BB72 ,  5E343DD12 ,  5E343DD16 ,  5E343DD20 ,  5E343FF05 ,  5E343GG06 ,  5E343GG08 ,  5F046AA28
引用特許：
審査官引用 (5件)
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