半導体装置及び電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-145644
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051599
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 TFTの特性を向上させ、画素部や駆動回路の駆動条件に最適なTFTの構造を、少ないフォトマスクの数で実現する技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体膜と、第1の電極と、半導体膜と第1の電極の間に挟まれた第1の絶縁膜とを有しており、さらに、第2の電極と、半導体膜と第2の電極の間に挟まれた第2の絶縁膜とを有している。そして、第1の電極と第2の電極は、半導体膜が有する複数のチャネル形成領域を間に挟んで重なっており、第1の電極に常に一定の電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

第1の電極と、前記第1の電極に接する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜に接する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜に接する複数の第2の電極とを有する薄膜トランジスタと、第1の配線と、第2の配線とを用いた半導体装置であって、前記半導体膜は複数のチャネル形成領域と、前記複数のチャネル形成領域にそれぞれ接する複数の不純物領域とを有し、前記複数の不純物領域の2つは、一方が前記第1の配線に、他方が前記第2の配線に接続しており、前記第1の電極は、前記複数の不純物領域のうち前記2つの不純物領域を除いた全ての不純物領域と、全ての前記複数のチャネル形成領域と重なっており、前記複数の第2の電極は互いに電気的に接続されており、前記複数の第2の電極はそれぞれ、前記複数のチャネル形成領域と重なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 27/08 331 , H01L 27/092 , H05B 33/14

FI (10件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 27/08 331 E , H05B 33/14 A , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 617 V , H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 627 A

Fターム (157件)：

2H092GA48 , 2H092GA50 , 2H092GA51 , 2H092GA60 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB11 , 2H092JB31 , 2H092KA11 , 2H092KA15 , 2H092MA03 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA06 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA14 , 2H092MA17 , 2H092MA28 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA02 , 2H092PA03 , 2H092PA04 , 2H092PA06 , 2H092PA07 , 2H092PA13 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007BB05 , 3K007BB07 , 3K007DB03 , 3K007GA04 , 5C094AA10 , 5C094AA15 , 5C094AA25 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094EA04 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB01 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094FB20 , 5C094HA08 , 5C094JA01 , 5C094JA08 , 5F048AA09 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB05 , 5F048BB06 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB11 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE38 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF12 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM13 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (7件)

キンク効果を防止した回路素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-062944 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
半導体回路素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-030194 出願人：シャープ株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-243479 出願人：シャープ株式会社

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