特許
J-GLOBAL ID：200903085410603927
薄膜多層配線基板及びその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169656
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023065
出願日： 1995年07月05日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【目的】ビアスタッド接続方式の高密度配線,高信号伝送特性の薄膜多層配線基板の提供にある。【構成】有機絶縁層を介して形成された第1と第2の金属配線層4を有する薄膜多層配線基板において、前記第1と第2の金属配線層4のランド間がビアスタッド3によって電気的に接続され、前記ビアスタッドは無電解めっきによる導電性金属の充填体からなり、該ビアスタッドの上面径と底面径との差が10%以内か、もしくは、ビアスタッドの絶縁層界面のテーパとビアスタッド軸とのなす角度が5度以下である薄膜多層配線基板にある。
請求項（抜粋）：
有機絶縁層を介して形成された第1と第2の金属配線層を有する薄膜多層配線基板において、前記第1と第2の金属配線層のランド間がビアスタッドによって電気的に接続され、前記ビアスタッドは無電解めっきによる導電性金属の充填体からなることを特徴とする薄膜多層配線基板。
FI (3件)：
H05K 3/46 N
, H05K 3/46 E
, H05K 3/46 S
