特許
J-GLOBAL ID：200903085522236161

半導体パッケージ及びその製造方法

発明者：
岩下 典文

岩下 典文 について

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鶴園 公博

鶴園 公博 について

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渋江 人志

渋江 人志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 有吉 教晴 ,  有吉 修一朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-022557
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217221
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 ショート不良による歩留低下を抑制すると共に、材料コストの低減を図ることができる半導体パッケージの及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ2を電磁波吸収機能を有する電磁波吸収モールド樹脂層12で被覆する工程と、電磁波吸収モールド樹脂をエポキシ樹脂層13で被覆する工程を備える半導体パッケージの製造方法であって、電磁波吸収モールド樹脂層はポッティング法で形成し、エポキシ樹脂層はトランスファーモールド法で形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体素子と、 該半導体素子を封止する封止樹脂を備える半導体パッケージにおいて、 前記封止樹脂は、前記半導体素子を被覆する第1の封止樹脂層と、該第1の封止樹脂層を被覆する第2の封止樹脂層を備え、 前記第1の封止樹脂層はポッティング法によって形成されると共に、電磁波吸収機能を有する ことを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (3件)：
H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31
FI (2件)：
H01L23/30 B ,  H01L21/56 E
Fターム (10件)：
4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA05 ,  4M109CA21 ,  4M109EB12 ,  5F061AA02 ,  5F061BA01 ,  5F061CA05 ,  5F061CA21 ,  5F061DE03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
  • 半導体装置および電子装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-009229   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-193606   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-193605   出願人：株式会社日立製作所
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