半導体変換回路及び回路モジュール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-360636
公開番号（公開出願番号）：特開2003-164140
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】シリコン製の高速ダイオードよりも順電圧降下及び逆回復電荷量が低減された逆阻止用のダイオードが使用された半導体変換回路を得る。【解決手段】ダイオード4は逆阻止用の整流ダイオードであり、IGBT3がオン状態になるとダイオード4に順方向電流が流れる向きで、IGBT3に直列接続されている。また、ダイオード6は逆阻止用の整流ダイオードであり、IGBT5がオン状態になるとダイオード6に順方向電流が流れる向きで、IGBT5に直列接続されている。ダイオード4のカソードとIGBT5のコレクタとは、接続点7を介して互いに接続されている。また、接続点7には負荷8が接続されている。ダイオード4,6は、炭化シリコン(SiC)を材料に用いて形成された、炭化シリコン製のダイオードである。

請求項（抜粋）：

逆導電型のスイッチング素子と、前記スイッチング素子がオン状態になると順方向電流が流れる極性で前記スイッチング素子に直列接続された、炭化シリコン製のダイオードとを備える半導体変換回路。

IPC (4件)：

H02M 1/08 341 , H02M 1/08 , H02M 7/48 , H02M 7/5387

FI (4件)：

H02M 1/08 341 A , H02M 1/08 341 D , H02M 7/48 M , H02M 7/5387 Z

Fターム (12件)：

5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007CC07 , 5H007HA04 , 5H740AA05 , 5H740BA01 , 5H740BA11 , 5H740BA18 , 5H740BB01 , 5H740BB03 , 5H740BB05 , 5H740MM05

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-354156
電力半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-053301 出願人：三菱電機株式会社
電流型インバータ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-187287 出願人：株式会社ミヤデン

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