特許
J-GLOBAL ID：200903085541336754
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194812
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024284
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 1.3μm帯で発光する活性層を有する発光装置を提供する。【解決手段】 第1の半導体材料を含む第1半導体層21と、その上に複数形成されるとともに離間するに従って縮径し、かつ、小さいエネルギーバンドギャップを有する第2の半導体材料からなる複数の量子ドット25と、第1半導体層21上に形成され、第2の半導体材料よりも大きいエネルギーバンドギャップを有する第3の半導体材料からなる第1の量子ドット閉じ込め層31と、それよりも大きいエネルギーバンドギャップを有する第4の半導体材料からなる第2の量子ドット閉じ込め層41とを含み、さらに第1の量子ドット閉じ込め層31と第2の量子ドット閉じ込め層41との界面側であって量子ドット25の直上に形成され、量子ドット25のエネルギー準位を制御可する微細構造33とを含む。
請求項（抜粋）：
第1の半導体材料を含む第1半導体層と、該第1半導体層上に複数形成されるとともに、該第1半導体層から離間するに従って縮径し、かつ、該第1の半導体材料よりも小さいエネルギーバンドギャップを有する第2の半導体材料からなる複数の量子ドットと、前記複数の量子ドットを覆って前記第1半導体層上に形成され、前記第2の半導体材料よりも大きいエネルギーバンドギャップを有する第3の半導体材料からなる第1の量子ドット閉じ込め層と、該第1の量子ドット閉じ込め層上に形成され、第1の量子ドット閉じ込め層よりも大きいエネルギーバンドギャップを有する第4の半導体材料からなる第2の量子ドット閉じ込め層と、前記第1の量子ドット閉じ込め層において前記第1の量子ドット閉じ込め層と前記第2の量子ドット閉じ込め層との界面側であって前記量子ドットの直上に形成され、その存在によって前記量子ドットのエネルギー準位を制御する微細構造とを含む半導体発光装置。
Fターム (7件)：
5F073AA13
, 5F073AA75
, 5F073AB28
, 5F073CA07
, 5F073DA06
, 5F073EA02
, 5F073EA23
