特許
J-GLOBAL ID：200903085553802734

プラズマ処理装置及び処理方法

発明者：
進藤 春雄

進藤 春雄 について

, 
北川 英夫

北川 英夫 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-321978
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150479
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 チャージアップダメージのないプラズマ処理装置および処理方法を提供する。【解決手段】 被処理体のクリーニングを行う際に、水素負イオンの量が水素正イオンの量より多い状態の水素イオン群を照射する。
請求項（抜粋）：
真空容器と、該真空容器内に被処理体を支持する為の支持手段と、該真空容器内にガスを導入する為のガス導入手段と、該ガスのプラズマを発生させる為のプラズマ発生手段とを有するプラズマ処理装置において、該プラズマから水素負イオンを該被処理体に向けて優先的に引き出す引き出し手段を有し、水素の負イオン量が水素の正イオン量より多い状態の水素イオン群を該被処理体に供給して該被処理体の溝の内面をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 645
FI (4件)：
H01L 21/302 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/304 645 C
Fターム (70件)：
5F004AA06 ,  5F004AA09 ,  5F004AA13 ,  5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA05 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA11 ,  5F004BA12 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC08 ,  5F004BD07 ,  5F004DA00 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA07 ,  5F004DA08 ,  5F004DA09 ,  5F004DA10 ,  5F004DA11 ,  5F004DA12 ,  5F004DA13 ,  5F004DA14 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004DB15 ,  5F004DB16 ,  5F004DB17 ,  5F004DB18 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EB01 ,  5F004EB04 ,  5F004EB05 ,  5F004EB06 ,  5F004FA01 ,  5F004FA07 ,  5F045DP02 ,  5F045EH16 ,  5F045EH18 ,  5F045HA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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