特許
J-GLOBAL ID:200903085616384580

半導体ユニット、半導体ユニット製造方法及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田辺 恵基
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-006766
公開番号(公開出願番号):特開2003-209201
出願日: 2002年01月15日
公開日(公表日): 2003年07月25日
要約:
【要約】【課題】従来に比して反り量を低減かつ軽薄化し得る半導体ユニットを提案する。【解決手段】本来プリント基板14として有機部材11に設けらるべきベアチップ実装用銅箔板20及び積層用銅箔板24と、ベアチップ実装用銅箔板20の一面20Aと積層用銅箔板24の一面24Aとの間にベアチップ23とほぼ同厚に選定されて介挿され、加熱に伴ってベアチップ実装用銅箔板20の一面20Aに実装されたベアチップ23を覆うと共に、ベアチップ実装用銅箔板20と積層用銅箔板24とを一体接続して形成された層間部30とによって半導体ユニット40を構成することにより、プリント基板14を用いて半導体ユニットを構成する場合に比して当該有機部材11に相当する分の厚みを軽薄化できると共に、ベアチップ実装用銅箔板20及び積層用銅箔板24がベアチップ23の熱膨張係数に近いので、反り量を層間部30の厚みに依存することなく低減することができる。
請求項(抜粋):
本来プリント基板として有機部材に設けられるべき第1の金属板及び第2の金属板と、互いに対向した上記第1の金属板の一面と上記第2の金属板の一面との間に介挿され、加熱に伴って上記第1の金属板の一面又は上記第2の金属板の一面に実装された上記表面実装部品を覆うと共に、上記第1の金属板と上記第2の金属板とをほぼ平行に一体接続して形成された層間部とを具えることを特徴とする半導体ユニット。
IPC (5件):
H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18
FI (3件):
H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 B ,  H01L 25/14 Z
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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