特許
J-GLOBAL ID：200903029222608175
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-237125
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174141
出願日： 2002年08月15日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 機械的強度や耐湿性といった半導体装置としての信頼性が高く、しかも多層板表面全体に配線パターンを形成して集積度を向上させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 2層板52の配線パッド41b,41b上に導体バンプ60,60,...を形成し、バリアメタル層61とAu層62を形成し、その上に半導体素子70を実装する。更にその上に開口部31aを設けたプリプレグ31と、もう一つの2層板54を位置合わせし、ヒートプレスする。得られた半導体装置1の表面には半導体素子70の周囲に充填した絶縁性樹脂と2層板54との境界面は現れない。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の厚さ方向に層間接続部材が貫挿され、この層間接続部材により電気的に導通された導体板を両面に備えた、2層板の導体板をパターニングして配線パターンと電極パッドとを形成する工程と、前記電極パッド上に銀ペーストバンプを形成する工程と、前記銀ペーストバンプ表面にバリアメタル層を形成する工程と、前記銀ペーストバンプ表面に溶接性金属層を形成する工程と、前記銀ペーストバンプ上に半導体素子を実装する工程と、前記2層板の上に、前記半導体素子相当部分を開口させた絶縁基板前駆体と、2層板の配線パターン上に導体バンプを備えたバンプ付2層板とを位置合わせする工程と、前記2層板と、絶縁基板前駆体と、前記バンプ付2層板とを加熱下に加圧して前記バンプを前記絶縁基板前駆体に貫挿し、前記2層板と前記バンプ付2層板とを電気的に接続すると共に、前記絶縁基板前駆体を硬化させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 23/12 501
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/12 501 T
, H01L 25/08 Z
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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