特許

J-GLOBAL ID：200903085675530557

半導体装置

発明者： 小池 英敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-382210
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184777
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】ヒューズ溶断部からの腐食によるLSI動作不良を防止する。【解決手段】ヒューズと集積回路を接続する配線途中に、シリサイド層またはタングステン層などの耐腐食性の高い導電層を介在させることで、腐食の進行をここで阻止し、LSI内部素子まで腐食が進行するのを防止する。

請求項（抜粋）：

ヒューズと、前記ヒューズと集積回路内部素子とを接続する接続配線とを有し、前記接続配線が、接続経路途中に耐腐食性を有する導電層を介在させていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/04 D

Fターム (54件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK29 ,  5F033KK30 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033RR12 ,  5F033RR15 ,  5F033VV11 ,  5F033XX18 ,  5F038AV15 ,  5F038CD18 ,  5F038CD19 ,  5F038DF05 ,  5F038DT15 ,  5F038DT18 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20 ,  5F064EE23 ,  5F064EE25 ,  5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064EE35 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF34 ,  5F064FF42 ,  5F064GG03 ,  5F064GG05 ,  5F064GG07

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-014246
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-319447   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-294105   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-222918   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-359248   出願人：三菱電機株式会社