特許
J-GLOBAL ID:200903085734424782
半導体装置の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-376605
公開番号(公開出願番号):特開2003-258211
出願日: 2002年12月26日
公開日(公表日): 2003年09月12日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、曲率を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。特に、曲率を有するディスプレイ、具体的には曲率を有する基材に貼りつけられたOLEDを有する発光装置の作成方法の提供を課題とする。【解決手段】 元々曲率及び弾性を有する支持体に外力を加え、これを基板上に作成された被剥離層に接着する。この後基板を剥離すると、支持体が復元力によって最初の形状に戻るとともに被剥離層も支持体の形状に沿って湾曲する。最後に、元々曲率を有する転写体を被剥離層に接着すれば、所望の曲率を有した装置が完成する。
請求項(抜粋):
曲率を有する支持体及び転写体を形成する第1工程と、前記支持体と比較して剛性の高い基板上に素子を含む被剥離層を形成する第2工程と、前記素子を含む被剥離層及び前記基板に、曲率を有した前記支持体を、前記素子を含む被剥離層及び前記基板の表面形状に合致するように外力を加えた状態で接着する第3工程と、前記支持体が接着された前記素子を含む被剥離層を基板から物理的手段により剥離する第4工程と、前記素子を含む被剥離層に前記転写体を接着することにより、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を含む被剥離層を挟む第5工程とを有し、前記素子を含む被剥離層が接着された前記支持体は、前記第4工程終了時点で、前記第1工程終了時に有していた形状に復元することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (10件):
H01L 27/12
, G02F 1/1333 500
, G09F 9/00 342
, G09F 9/30 308
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H05B 33/00
, H05B 33/04
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (10件):
H01L 27/12 B
, G02F 1/1333 500
, G09F 9/00 342 Z
, G09F 9/30 308 A
, H05B 33/00
, H05B 33/04
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H01L 29/78 627 D
, H01L 29/78 626 C
Fターム (50件):
2H090JA02
, 2H090JB03
, 2H090JC04
, 3K007AB18
, 3K007BA00
, 3K007BA06
, 3K007BA07
, 3K007BB01
, 3K007BB02
, 3K007CA06
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 3K007FA02
, 5C094AA42
, 5C094AA46
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094DA05
, 5C094DA06
, 5C094DA12
, 5C094DA13
, 5C094EA04
, 5C094EB02
, 5C094FA02
, 5C094HA08
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110CC02
, 5F110CC06
, 5F110CC08
, 5F110DD01
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110DD21
, 5F110DD25
, 5F110NN03
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ16
, 5F110QQ30
, 5G435AA17
, 5G435BB05
, 5G435BB12
, 5G435KK05
, 5G435LL17
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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