特許

J-GLOBAL ID：200903085819989118

磁気記憶装置及びその製造方法

発明者： 中島 健太郎 ,  細谷 啓司 ,  浅尾 吉昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-212907
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055918
出願日： 2002年07月22日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】オーバーエッチングの低減を図る。【解決手段】磁気記憶装置の製造方法は、第1の絶縁膜11上に、金属層13、磁気抵抗効果膜14及びマスク層15、16を順に形成する工程と、マスク層15を磁気抵抗効果素子19の素子形状にパターニングした後に、金属層13をセル毎に分離する分離形状にパターニングする工程とを具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に配置された金属層と、 前記金属層上の所定領域に配置された磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子上に配置されたコンタクト層と、 前記金属層の周囲に形成され、前記金属層をセル毎に分離する機能を有し、かつ前記第1の絶縁膜の表面からの深さが前記金属層の厚さ以下である凹部と を具備することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12

Fターム (14件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA21 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-151368   出願人：株式会社東芝
• 配線基板及び配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-301468   出願人：株式会社東芝
• 磁気ランダム・アクセス・メモリ及びその磁気情報書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-346111   出願人：富士通株式会社
• 磁気記憶装置及びその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-074577   出願人：株式会社東芝