特許
J-GLOBAL ID：200903085828446038
薄膜結晶質Si太陽電池およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020623
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222975
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 両面凹凸構造の導入にともなう光学的特性と電気的特性とのトレードオフの関係を解消し、光学的に最適な両面凹凸構造を実現しつつも、電気的な特性低下を招かない光閉じ込め構造を提供する。【解決手段】 基板1上に、裏電極となる金属層2、裏透明導電膜3、光活性層部を結晶質Siで形成した半導体接合を有する半導体膜4、表透明導電膜5、および表電極となる金属を主体とする集電極6が順次積層された薄膜結晶質Si太陽電池であって、上記裏電極となる金属層2と裏透明導電膜3との界面が凹凸形状となっており、上記裏透明導電膜3と半導体膜4との界面の平均高低差が上記裏電極となる金属層2と裏透明導電膜3との界面の凹凸形状の平均高低差よりも小さいことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、裏電極となる金属層、裏透明導電膜、光活性層部を結晶質Siで形成した半導体接合を有する半導体膜、表透明導電膜、および表電極となる金属を主体とする集電極が順次積層された薄膜結晶質Si太陽電池において、前記裏電極となる金属層と裏透明導電膜との界面が凹凸形状となっており、前記裏透明導電膜と半導体膜との界面の平均高低差が前記裏電極となる金属層と裏透明導電膜との界面の凹凸形状の平均高低差よりも小さいことを特徴とする薄膜結晶質Si太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 F
5F051AA03
, 5F051CB22
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA13
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051FA18
, 5F051FA19
, 5F051GA02
, 5F051GA03
, 5F051GA14
, 5F051GA20
