磁気抵抗素子の製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-107971
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194393
出願日： 2009年04月27日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減することが可能な磁気抵抗素子を単純なプロセスで製造することを可能にする。【解決手段】基板上に下部電極膜を形成する工程と、下部電極膜上に、磁化の向きが固着された磁化固着層となる第1磁性層と、トンネルバリア層と、磁化の向きが可変の磁化自由層となる第2磁性層との積層構造を有する積層膜を形成する工程と、積層膜上に第1上部電極膜を形成する工程と、第1上部電極膜をパターニングし、第1上部電極を形成する工程と、第1上部電極をマスクとして積層膜の第2磁性層までをパターニングする工程と、第1上部電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、第1上部電極の上面を露出させる工程と、第1上部電極を覆うように第2上部電極膜を形成する工程と、第2上部電極膜をパターニングし、第2上部電極を形成する工程と、第2上部電極をマスクとして下部電極膜までを自己整合的に加工する工程と、を備えている。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極膜を形成する工程と、前記下部電極膜上に、磁化の向きが固着された磁化固着層となる第1磁性層と、トンネルバリア層と、磁化の向きが可変の磁化自由層となる第2磁性層との積層構造を有する積層膜を形成する工程と、前記積層膜上に第1上部電極膜を形成する工程と、前記第1上部電極膜をパターニングし、第1上部電極を形成する工程と、前記第1上部電極をマスクとして前記積層膜の前記第2磁性層までをパターニングする工程と、前記第1上部電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記第1上部電極の上面を露出させる工程と、前記第1上部電極を覆うように第2上部電極膜を形成する工程と、前記第2上部電極膜をパターニングし、第2上部電極を形成する工程と、前記第2上部電極をマスクとして前記下部電極膜までを自己整合的に加工する工程と、を備えていることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 43/12 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (3件)：

H01L43/12 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (44件)：

4M119AA03 , 4M119AA19 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD25 , 4M119DD26 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119JJ09 , 4M119JJ15 , 5F092AA01 , 5F092AA11 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BB81 , 5F092BB82 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC42 , 5F092BC43 , 5F092CA20 , 5F092CA26 , 5F092CA28

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-058777 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁性メモリ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-109166 出願人：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-320923 出願人：ソニー株式会社

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