炭化ケイ素金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-500936
公開番号（公開出願番号）：特表2000-509559
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：

【要約】u字形ゲートトレンチとn型炭化ケイ素ドリフト層とを有する、炭化ケイ素金属絶緑体半導体電界効果トランジスタ。p型領域が、炭化ケイ素ドリフト層中に形成され、かつ、u字形ゲートトレンチの底部の下に延在し、それにより、ゲートトレンチのコーナー部での電界集中を防ぐ。n型伝導性炭化ケイ素のバルク単結晶炭化ケイ素基板を有する、金属絶縁体半導体トランジスタの単位セル。n型伝導性炭化ケイ素の第一のエピタキシャル層と、第一のエピタキシャル層上に形成された、p型伝導性炭化ケイ素の第二のエピタキシャル層。第一のトレンチは下方に延在し、第二のエピタキシャル層を通って第一のエピタキシャル層の中に形成される。第一のトレンチに隣接する第二のトレンチもまた、下方に延在し、第二のエピタキシャル層を通って第一のエピタキシャル層の中に形成される。n型伝導性炭化ケイ素の領域は、第一と第二のトレンチとの間に形成され、かつ、第二のエピタキシャル層の反対側の上面を有する。絶縁体層を、第一のトレンチ中に形成し、第一のトレンチの底部上に形成されたゲート絶縁体層の上面は、第二のエピタキシャル層の下面の下にある。p型伝導性炭化ケイ素の領域を、第一のエピタキシャル層中に第二のトレンチの下に形成する。ゲートとソース接触とを、各々第一と第二のトレンチ中に形成し、及び、ドレイン接触を基板に接して形成する。好ましくはゲート絶縁体層は、形成されるトランジスタが金属酸化物電界効果トランジスタであるような酸化物である。

請求項（抜粋）：

u字形ゲートトレンチと; n型炭化ケイ素ドリフト層と; 該炭化ケイ素ドリフト層よりも高いキャリア濃度を有するp型炭化ケイ素ベース層と; 前記ゲートトレンチのコーナー部での電界集中を防ぐように、前記炭化ケイ素ドリフト層中に前記u字形ゲートトレンチと隣接しかつ接触せずに形成され、かつ、前記u字形ゲートトレンチの底部の下の深さにまで延在するp型領域と;を備える炭化ケイ素金属絶縁体半導体電界効果トランジスタ。

FI (4件)：

H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

炭化けい素たて型MOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-303159 出願人：富士電機株式会社
絶縁ゲート型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-156370 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-140564 出願人：日本電装株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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