集積半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-026278
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229575
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】微細な縦型薄膜を用いたMOSFETを集積する集積半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板上の半導体層を縞状のパターンに加工し、周期を持った縦型の薄膜を形成し、縞状のパターンと交差する方向に少なくとも一辺を持つパターンA、B、Cにより、縦型の薄膜の一部分を除去し、残された縦型の薄膜の所望の部分の両側にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成するようにした集積半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上の半導体層を縞状のパターンに加工し、周期を持った縦型の薄膜を形成する工程、上記縞状のパターンと交差する方向に少なくとも一辺を持つパターンにより、上記縦型の薄膜の一部分を除去する工程及び残された上記縦型の薄膜の所望の部分の両側にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする集積半導体装置の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , H01L 21/027 , H01L 21/8238 , H01L 21/8242 , H01L 21/8244 , H01L 27/08 331 , H01L 27/092 , H01L 27/10 481 , H01L 27/108 , H01L 27/11

FI (9件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 27/10 481 , H01L 29/78 617 K , H01L 29/78 618 E , H01L 27/08 321 C , H01L 27/10 381 , H01L 27/10 671 C , H01L 21/30 528 , H01L 29/78 613 B

Fターム (74件)：

5F046AA11 , 5F046BA04 , 5F046CB17 , 5F048AA01 , 5F048AC04 , 5F048BA09 , 5F048BB02 , 5F048BB04 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BD01 , 5F048BD06 , 5F048BE08 , 5F048BF03 , 5F048BG14 , 5F048DA18 , 5F048DA21 , 5F083BS03 , 5F083BS11 , 5F083BS12 , 5F083BS15 , 5F083BS23 , 5F083BS24 , 5F083BS31 , 5F083BS35 , 5F083BS44 , 5F083GA09 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083LA10 , 5F083ZA15 , 5F110AA04 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE29 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG29 , 5F110GG58 , 5F110HJ14 , 5F110HK09 , 5F110HM17 , 5F110NN13 , 5F110NN14 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN37 , 5F110NN65 , 5F110NN77 , 5F110NN78 , 5F110QQ01 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-324607 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-060526 出願人：セイコー電子工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-161425 出願人：富士ゼロックス株式会社

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