特許

J-GLOBAL ID：200903085987204827

半導体装置の製造方法

発明者： 吉越 俊一 ,  高橋 洋 ,  徳永 和彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-304408
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036073
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 化学的機械研磨の終点検出を有効に行うために、被研磨膜と終点検出用膜の選択比を上げる。【解決手段】 半導体基板20上に形成される段差の凸状部となる部分の上に、中間層32形成し、この中間層32を覆い段差の凹状部34を充填するかたちで、中間層32より被研磨速度が遅い被研磨層36を形成した後、この被研磨層36から中間層32にかけて研磨を行う。この場合、中間層32の下に被研磨層36より被研磨速度が遅いストッパ層30を形成しておくこともできる。研磨では、研磨機の回転トルクの一定値以上の変動や干渉色により、研磨の終点検出ができる。本発明をトレンチ素子分離に用いた場合、基板側に保護層28を設けるとよい。また、中間層32については、BPSG膜を用いたり、ポリシリコン膜の場合は予め窒化すると、被研磨層36の充填性の面で好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成される段差の凸状部となる部分の上に、中間層を形成する工程と、前記中間層を覆い前記段差の凹状部を充填するかたちで、被研磨速度が前記中間層より遅い被研磨層を形成する工程と、前記被研磨層から、前記中間層にかけて研磨を行う工程とを少なくとも含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/318 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 選択平坦化ポリッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-318904   出願人：日本電気株式会社
• 研磨の終点検出方法およびその研磨装置ならびにそれを利用した半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-039145   出願人：松下電器産業株式会社
• SOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247069   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315555   出願人：株式会社東芝