特許
J-GLOBAL ID：200903086069099600
GaN系発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010474
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017741
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 高輝度で発光し、そして紫外から赤外までの波長領域の光を発光し、更には白色発光も可能であるGaN系発光素子が提供される。【解決手段】 このGaN系発光素子は、活性層5が、Nと、As,P,Sbの1種または2種以上とを含むGaN系化合物半導体で構成されている。そして、このGaN系化合物半導体としては、組成:GaN<SB>1-x-y</SB>As<SB>y</SB>P<SB>x</SB>(ただし、x,yは同時にゼロではなく、0<x+y<1を満足する数である)のものが好適である。
請求項（抜粋）：
活性層が、2種以上のV族元素を含むGaN系化合物半導体で形成されていることを特徴とするGaN系発光素子。
Fターム (7件)：
5F041AA04
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA66
