薄膜形成方法、高誘電体容量形成方法、誘電ボロメータおよび赤外線検出素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180022
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124708
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】検知感度の高い赤外線検出素子に適した高誘電体薄膜を形成可能な薄膜形成方法を提供する。【解決手段】有機高分子化合物と強誘電体薄膜の材料となる無機化合物とを有機高分子化合物に対する溶媒を用いて混合した溶液をフィルタ102でフィルタリングし、溶液溜り104に原料溶液として蓄積する。N2ガスによる圧力で、ノズル110から原料溶液を基板200表面にスピン塗布する。その後、基板200を酸化性ガス雰囲気中で熱処理することで、基板上の無機化合物を加熱し反応させて、基板上に所望の組成を有する高誘電体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

有機高分子化合物と、強誘電体薄膜の材料となる無機化合物とを有機高分子化合物に対する溶媒を用いて混合した原料溶液を生成する工程と、前記原料溶液を基板表面に塗布する工程と、前記基板を酸化性ガス雰囲気中で熱処理することで、基板上の無機化合物を加熱し反応させて、前記基板上に所望の組成を有する高誘電体膜を形成する工程とを備える、薄膜形成方法。

IPC (6件)：

H01L 37/00 , G01J 1/02 , G01J 1/42 , G01J 5/02 , G01J 5/48 , H01L 21/316

FI (8件)：

H01L 37/00 , G01J 1/02 Q , G01J 1/02 Y , G01J 1/42 B , G01J 5/02 M , G01J 5/02 P , G01J 5/48 F , H01L 21/316 G

Fターム (30件)：

2G065AA11 , 2G065AB02 , 2G065BA13 , 2G065BA14 , 2G065BA34 , 2G065BE08 , 2G065CA13 , 2G065DA10 , 2G065DA18 , 2G065DA20 , 2G066AC07 , 2G066AC13 , 2G066AC14 , 2G066BA04 , 2G066BA55 , 2G066BB09 , 2G066CA02 , 2G066CA04 , 2G066CA20 , 5F058BA04 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF46 , 5F058BF62 , 5F058BG01

引用特許：

審査官引用 (5件)

強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-036041 出願人：シャープ株式会社
高誘電体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-147412 出願人：富士電機株式会社
強誘電体薄膜材料、その製造方法およびそれを用いた赤外線検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-072586 出願人：奥山雅則, 株式会社村田製作所, 松下電器産業株式会社

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