特許
J-GLOBAL ID:200903086135871750

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-291398
公開番号(公開出願番号):特開2005-328018
出願日: 2004年10月04日
公開日(公表日): 2005年11月24日
要約:
【課題】 制御素子とそれによって制御されるパワー素子とを備える半導体装置において、適切な放熱特性を実現する。 【解決手段】 Cuよりも熱伝導性に劣るが蓄熱性に優れたFeからなるヒートシンク30と、このヒートシンク30の一面上に搭載され、それぞれ分離された第1の配線基板41、第2の配線基板42とを備え、制御素子10は第1の配線基板41の上に実装され、パワー素子20は第2の配線基板42の上に実装され、各素子10、20、各配線基板41、42およびヒートシンク30は樹脂70によってモールドされており、ヒートシンク30の他面は樹脂70から露出している。また、ヒートシンクの側面に突起部31が形成されており、この突起部31が樹脂70に食い込んでいる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1の電子素子(10)と前記第1の電子素子(10)よりも大きい電流が流れ且つ大きい発熱を行う第2の電子素子(20)とを備える半導体装置において、 ヒートシンク(30)と、 前記ヒートシンク(30)の一面上に搭載され、それぞれ分離された第1の配線基板(41)、第2の配線基板(42)とを備え、 前記第1の電子素子(10)は、前記第1の配線基板(41)の上に実装され、前記第2の電子素子(20)は、前記第2の配線基板(42)の上に実装されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L23/29 ,  H01L23/02
FI (2件):
H01L23/36 A ,  H01L23/02 B
Fターム (5件):
5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BD01 ,  5F036BE01
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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