シャワープレート、プラズマ処理装置、及び、製品の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：後藤洋介 , 池田憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-434769
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033167
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】シャワープレートから均一なプラズマ励起ガス供給が困難であるため、プラズマ励起ガス流が乱れ、この結果、被処理基板の均一な処理が困難であった。【解決手段】シャワープレートに配置するガス放出孔の単位面積あたりの配置数を、シャワープレート中心から離れるに従って増加させる、もしくは、ガス放出孔の孔半径をシャワープレート中心から離れるに従って増加させることにより、プラズマ励起ガス流を均一にし、これによって、被処理基板の均一処理を可能にする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ガスを放出する複数の放出孔を備えたシャワープレートにおいて、前記シャワープレートの中心部における単位面積あたりの前記放出孔の孔の合計面積と周辺部における単位面積あたりの前記放出孔の孔の合計面積とが異なることを特徴とするシャワープレート。

IPC (4件)：

H01L21/3065 , C23C16/455 , H01L21/205 , H05H1/46

FI (4件)：

H01L21/302 101D , C23C16/455 , H01L21/205 , H05H1/46 A

Fターム (21件)：

4K030EA05 , 4K030FA01 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004BC03 , 5F004BD04 , 5F045AA09 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045BB03 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EF07 , 5F045EF08 , 5F045EH02 , 5F045EH03

引用特許：

出願人引用 (1件)

プラズマ処理装置および半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-094273 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (10件)

放熱性を有するプラズマエッチング用シリコン電極板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-056595 出願人：三菱マテリアル株式会社
特開昭62-060875
プラズマエッチング用電極板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-220294 出願人：イビデン株式会社

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