パワーモジュール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-160421
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329362
出願日： 2006年06月09日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】環境の問題からPbフリー化が要求され、Sn-3Ag-0.5Cu はんだが広範囲に使用されている。しかし、パワーモジュールの後付け用はんだは大面積基板のはんだ付けであり、基板の反りを伴う大変形に対してクリープ変形し難いSn-3Ag-0.5Cu では、温度サイクル,TFT試験に対して、寿命低下が顕著に起きることが分かってきた。【解決手段】適正な物性を有する密着力のあるエポキシ系樹脂を、クラック発生起点であるはんだ最外周部周辺に部分的に塗布することで破壊メカニズムを変えさせ、はんだのクラック発生を阻止,遅延させ、かつクラック進展速度を遅延させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ベース基板とセラミック絶縁基板及び半導体チップがはんだで接続され、樹脂が充填されてなるパワーモジュールにおいて、前記セラミック絶縁基板とベース基板とのはんだ付け端部周囲、及びその周囲の前記セラミック絶縁基板の端部周囲とその周囲の前記ベース基板表面の一部を包むようにエポキシ系樹脂を被覆して構成することを特徴とするパワーモジュール。

IPC (2件)：

H01L 23/40 , H01L 23/36

FI (2件)：

H01L23/40 F , H01L23/36 C

Fターム (4件)：

5F136BB04 , 5F136BB05 , 5F136DA27 , 5F136EA13

引用特許：

出願人引用 (1件)

モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-327072 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (8件)

半導体パワーモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-208703 出願人：株式会社日立製作所
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-013366 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-137494 出願人：株式会社豊田自動織機

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