特許
J-GLOBAL ID：200903025010218428

半導体パワーモジュール

発明者：
曽我 太佐男

曽我 太佐男 について

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川瀬 大助

川瀬 大助 について

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田中 主税

田中 主税 について

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森崎 英一

森崎 英一 について

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鈴木 和弘

鈴木 和弘 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-208703
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032617
出願日： 2004年07月15日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 耐パワーサイクル、耐温度サイクル及び耐湿性に優れ、経済的で長寿命の樹脂封止形半導体パワーモジュールの提供。【解決手段】 セラミック絶縁基板102に高純度溶融アルミの放熱基板4、高純度溶融アルミの導電部6,15を直接接合した絶縁基板を使用し、予め耐熱性、耐湿性に優れるポリイミド系被覆樹脂9を薄く塗布し硬化させ、その上に、低ヤング率で、はんだ3の線膨張係数に合わせたエポキシ系の封止樹脂10を充填することで、単一層のはんだ工程などにより大幅にコストを低減しつつ、高信頼性、小型・軽量化パワーモジュールを実現する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、この絶縁基板上にはんだを介して固着された半導体チップと、この半導体チップ表面に接続されたワイヤと、前記半導体チップと前記ワイヤを含む収納部品の表面を覆う比較的軟らかい被覆樹脂と、これらの部品を収納するケースと、前記被覆樹脂の上に、前記被覆樹脂よりも硬い封止樹脂を充填した半導体パワーモジュールにおいて、 前記絶縁基板を、セラミック絶縁基板に直接アルミを接合した複合基板で形成し、 前記被覆樹脂を、ポリイミド系又はポリアミドイミド系の樹脂で形成し、 前記封止樹脂を、線膨張係数が14〜24×10-6/°C、室温(15〜20°C)におけるヤング率が3〜20GPaのエポキシ系樹脂で形成したことを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (4件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L23/30 B ,  H01L25/04 C
Fターム (11件)：
4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA10 ,  4M109CA21 ,  4M109DB15 ,  4M109EA07 ,  4M109EA11 ,  4M109EC04 ,  4M109ED03 ,  4M109EE02 ,  4M109GA02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (10件)
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