特許
J-GLOBAL ID：200903086197983245

半導体装置及びその製造方法並びに電子装置

発明者：
井上 俊明

井上 俊明 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-286485
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096198
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】 外部基板へ実装した際に、接続不良を低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置1は、一面に電極を配してなる半導体基板2と、 半導体基板1の一面を覆うように配され、かつ、前記電極が露呈するように開口部を有すると共に、厚さが異なる部分を有する中間層21と、中間層21を覆い、外部基板との接続領域に配された第一導電部6A、6aと、前記開口部を通して前記電極と第一導電部6A、6aとを電気的に接続する第二導電部と、第一導電部6A、6aに接合されるバンプ9A、9aと、を少なくとも備え、第一導電部6A、6aが配された中間層21の厚さに応じて体積の異なるバンプ9A、9aを有する。図1に示す構成例は、第一中間層4に第二中間層5を重ねた厚い中間層21上に配されるバンプ9Aが、第一中間層4のみからなる薄い中間層21上に配されるバンプ9aに比べて、小さな体積を有する場合を示す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一面に電極を配してなる半導体基板と、 前記半導体基板の一面を覆うように配され、かつ、前記電極が露呈するように開口部を有すると共に、厚さが異なる部分を有する中間層と、 前記中間層を覆い、外部基板との接続領域に配された第一導電部と、 前記開口部を通して前記電極と前記第一導電部とを電気的に接続する第二導電部と、 前記第一導電部に接合されるバンプと、 を少なくとも備えた半導体装置であって、 前記第一導電部が配された中間層の厚さに応じて体積の異なるバンプを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (4件)：
H01L21/92 602K ,  H01L21/92 604S ,  H01L23/12 501C ,  H01L21/88 T
Fターム (26件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH22 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)

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