磁性メモリ、磁性メモリアレイ、磁性メモリの製造方法、磁性メモリの記録方法、及び磁性メモリの読み出し方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-304124
公開番号（公開出願番号）：特開2004-139681
出願日： 2002年10月18日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】右回り(時計回り)又は左回り(反時計回り)の渦状磁化を簡易に生成することができ、前記渦状磁化の向きに応じて情報を安定的に記録できるようにした磁性メモリ及び磁性メモリアレイを提供する。【解決手段】円盤状の第1の磁性層101と、この第1の磁性層101上に形成されたリング状の第2の磁性層102とを含む磁性体110から磁性メモリを構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

円盤状の第1の磁性層と、この第1の磁性層上に形成されたリング状の第2の磁性層とを含む磁性体を具えることを特徴とする、磁性メモリ。

IPC (4件)：

G11C11/15 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12

FI (6件)：

G11C11/15 110 , G11C11/15 112 , H01L43/08 P , H01L43/08 Z , H01L43/12 , H01L27/10 447

Fターム (3件)：

5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (4件)

メモリ素子、磁性薄膜メモリ、メモリ素子の記録方法および再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-271736 出願人：キヤノン株式会社
磁気メモリおよびその記録方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090495 出願人：シャープ株式会社
磁気記憶素子、磁気記憶装置および携帯端末装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-095976 出願人：株式会社東芝

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