特許
J-GLOBAL ID:200903086278411653

高周波モジュール部品

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 均 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-316853
公開番号(公開出願番号):特開2003-124701
出願日: 2001年10月15日
公開日(公表日): 2003年04月25日
要約:
【要約】【課題】セラミック多層基板にSAW素子をフリップチップ搭載する場合において、SAW素子が安定かつ高い特性を示すような構造を実現する。【解決手段】SAW素子21を、櫛型電極形成面28をセラミック多層基板10の部品搭載面11に対向させ、部品搭載面との間に空隙が形成されるようにし、Au-Au接合により多層基板10上に実装する。封止部材30により封止するときは、この空隙を保護し確保した状態でSAW素子21を被覆し封止する。また、SAW素子21を含む部品、導体パターン、導体層は、多層基板10の周囲から100μm以内の導体配置禁止領域14には形成しない。また、高周波モジュール部品15は多層基板10の底面に設け、側面には導体を形成しない。これにより、導体配置禁止領域14で封止部材30と多層基板10が強固に接合し、構造的に強固で特性の安定した高周波モジュール部品1が形成される。
請求項(抜粋):
少なくとも1の表面弾性波素子と、前記表面弾性波素子に接続される電気回路が作り込まれた多層基板と、前記表面弾性波素子を被覆して封止するように前記多層基板の前記表面弾性波素子搭載面に形成される封止部材と、前記多層基板に設けられる前記電気回路の入出力端子とを有するモジュール部品であって、前記多層基板は、前記表面弾性波素子搭載面の、周囲側面から所定距離以内の周縁領域に、導体パターンが存在しないように形成され、前記表面弾性波素子は、櫛形電極が前記多層基板の前記素子搭載面に対向するように前記多層基板上に搭載され、前記封止部材は、少なくとも前記周縁領域において前記多層基板と固着され、前記表面弾性波素子の前記櫛形電極と前記多層基板との間の空間を維持するように前記表面弾性波素子を被覆して封止し、前記入出力端子は、前記多層基板の前記表面弾性波素子搭載面の反対側の面に設けられている高周波モジュール部品。
IPC (6件):
H01P 1/00 ,  H01L 23/08 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H03H 9/25 ,  H05K 3/46
FI (6件):
H01P 1/00 Z ,  H01L 23/08 A ,  H01L 23/12 301 C ,  H03H 9/25 A ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 B
Fターム (23件):
5E346AA02 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD03 ,  5E346DD13 ,  5E346EE24 ,  5E346FF01 ,  5E346GG04 ,  5E346GG06 ,  5E346HH06 ,  5E346HH07 ,  5J011CA12 ,  5J097AA25 ,  5J097AA30 ,  5J097BB15 ,  5J097HA04 ,  5J097JJ06 ,  5J097JJ09 ,  5J097KK09 ,  5J097LL08
引用特許:
審査官引用 (8件)
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