特許
J-GLOBAL ID：200903086326919036

半導体素子の製造方法

発明者：
中澤 治雄

中澤 治雄 について

, 
桐沢 光明

桐沢 光明 について

, 
吉村 尚

吉村 尚 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-237610
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059876
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 レーザー照射による不純物層の活性化を精度良く行う。【解決手段】 不純物層を活性化する際、その不純物層を活性化可能な大きさの照射エネルギー密度のレーザービームを走査照射する。一度そのようなレーザービームが照射された領域は、次にその一部あるいは全部に同じ照射エネルギー密度のレーザービームが照射されても、その不純物濃度プロファイルがほとんど変化しない。したがって、各照射領域はそれが重なってレーザー照射されたか否かに関わらず十分に活性化され、レーザー照射すべきでない領域を避けてレーザー照射すべき領域の不純物層を活性化することが可能になる。それにより、レーザー照射すべき領域とすべきでない領域を有する半導体素子を良好なデバイス特性で形成することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
レーザー照射によって不純物層を活性化する工程を有する半導体素子の製造方法において、 前記不純物層を活性化することのできる大きさの照射エネルギー密度のレーザービームを照射領域の少なくとも一部が重なるように走査照射することによって、前記不純物層を活性化することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L21/265 602C ,  H01L21/268 J ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/78 658A
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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