特許
J-GLOBAL ID：200903084151857480
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
酒井 昭徳
, 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-302137
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140101
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】ウエハー裏面をバックグラインドしてデバイス厚の薄いIGBT等の半導体素子を製造するにあたって、ウエハー割れを防ぐこと。【解決手段】ウエハー21の表面に半導体素子の表面側素子構造部22を作製する。ウエハー21の、表面側素子構造部22が形成された面に支持基板32を接合する。その状態で、ウエハー裏面の研削をおこなう。ウエハー裏面にイオン注入をおこない、注入された不純物をレーザーアニール法により活性化させる。また、裏面電極25等の裏面構造を作製する。その後、支持基板32を剥離させる。そして、チップ27状に切断する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体ウエハーの表面に半導体素子の表面側素子構造部を作製する工程と、
前記半導体ウエハーの、前記表面側素子構造部が作製された側の面を支持基板に接合する工程と、
前記支持基板を接合した状態のまま前記半導体ウエハーの裏面を研削し、その研削された面に裏面構造を作製する工程と、
裏面構造が作製された前記半導体ウエハーから前記支持基板を剥離させる工程と、
前記支持基板の剥離後、前記半導体ウエハーをチップ状に切断する工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 658G
, H01L29/78 652Q
, H01L29/78 655Z
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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