プラズマラジカルに基板を曝露する装置及び方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-614482
公開番号（公開出願番号）：特表2002-543584
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2002年12月17日
要約：

【要約】基板をプラズマラジカルに曝露(暴露)する装置及び方法が、イオンとラジカルを有するプラズマを発生するに適した第1反応チャンバと、第1反応チャンバに結合された第2反応チャンバを含み、さらに第2反応チャンバがこの第2反応チャンバの視界に基板を収容するに適している。第1反応チャンバから第2反応チャンバへのプラズマ走行が所与のプラズマ放電速度でイオンの寿命と等価な距離だけ基板位置から分離されるように、第2反応チャンバが第1反応チャンバに結合される。この方法において、ラジカルが基板に到達し、基板と又は基板上の物質と反応し、一方でプラズマ中に元から存在するイオンが帯電(電荷)中性状態に変換される。

請求項（抜粋）：

第1反応チャンバと、第1反応チャンバに結合され、処理ステップ中に基板と反応するに適した成分を有するガスを第1反応チャンバに供給する、ガス源と、第1反応チャンバに結合され、ガスからイオンとラジカルを有するプラズマを発生させる励起エネルギー源と、該第2反応チャンバ内の1つの場所に基板を収容するに適した第2反応チャンバとを備え、第1反応チャンバは、第2反応チャンバに結合しており、また、1つのプラズマ発生率でのイオンの寿命に等しい距離だけ、基板の場所から隔てられている装置。

IPC (7件)：

H01L 21/31 , C23C 14/48 , H01J 37/32 , H01L 21/02 , H01L 21/26 , H01L 21/318 , H05H 1/46

FI (10件)：

H01L 21/31 A , C23C 14/48 Z , H01J 37/32 , H01L 21/02 Z , H01L 21/318 A , H01L 21/318 C , H05H 1/46 B , H01L 21/26 J , H01L 21/26 T , H01L 21/26 G

Fターム (20件)：

4K029AA06 , 4K029BA41 , 4K029BA58 , 4K029BD01 , 4K029CA10 , 4K029DE02 , 5F045AB32 , 5F045AB34 , 5F045AD10 , 5F045BB04 , 5F045BB16 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045DQ17 , 5F045EE06 , 5F045EK12 , 5F058BD03 , 5F058BD15 , 5F058BF74 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (7件)

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250407 出願人：株式会社東芝
特開平3-212938
半導体装置の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-199333 出願人：日本電気株式会社

全件表示

前のページに戻る