特許

J-GLOBAL ID：200903086470457306

シリコン酸化膜の成膜方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 金 廣男 ,  蔡 基成
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138211
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 絶縁耐圧やステップカバレッジ等の特性面に優れ、TFTの歩留まりの向上が図れるとともに、取り扱いやコストの面でも問題なく、ゲート酸化膜にも層間絶縁膜にも使用できるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 高周波電極3と、サセプタ電極6と、これら各電極と電源間のインピーダンス整合用の2つのマッチングボックス9、17を有し、高周波電極側マッチングボックス9のチューニングコンデンサ20をなす一方の電極20aが高周波電極3である2周波励起型プラズマCVD装置1を用い、サセプタ電極6上に被処理基板を載置し、高周波電極3とサセプタ電極6の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにSiH4ガスとN2Oガスとの混合ガスを主反応ガスとする反応ガスを用いてプラズマを発生させ、被処理基板5上にシリコン酸化膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

第1の高周波電源と、該第1の高周波電源と接続される高周波電極と、前記第1の高周波電源と前記高周波電極との間のインピーダンスの整合を得る整合回路を備えた高周波電極側マッチングボックスと、第2の高周波電源と、前記高周波電極と対向配置され前記第2の高周波電源と接続されるとともに被処理基板を支持するサセプタ電極と、前記第2の高周波電源と前記サセプタ電極との間のインピーダンスの整合を得る整合回路を備えたサセプタ電極側マッチングボックスとを有し、前記高周波電極側マッチングボックスの整合回路における少なくとも一つのチューニングコンデンサをなす少なくとも二つの電極のうちの一つの電極が前記高周波電極である2周波励起型プラズマCVD装置を用い、前記サセプタ電極上に被処理基板を載置し、前記高周波電極と前記サセプタ電極の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにモノシランガスと亜酸化窒素ガスとの混合ガスの流量割合が10ないし50%である反応ガスを用いてプラズマを発生させ、前記被処理基板上にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (34件)：

5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD07 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045CA15 ,  5F045DC62 ,  5F045DP03 ,  5F045EH01 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F110AA18 ,  5F110CC02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

• パッシベーション膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-114002   出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
• 特開平1-233730
  
• 誘電体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-031960   出願人：ソニー株式会社
• 高周波プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-008952   出願人：日本電子株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-343684   出願人：株式会社フロンテック, アルプス電気株式会社, 大見忠弘
• 特開昭57-047711