特許
J-GLOBAL ID:200903086485466590

情報記録再生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 日向寺 雅彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-155709
公開番号(公開出願番号):特開2008-310858
出願日: 2007年06月12日
公開日(公表日): 2008年12月25日
要約:
【課題】高記録密度及び低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置。【解決手段】電極層11、13A及び記録層12を有する積層構造と、電極層に付加されるバッファ層10と、電圧を印加して記録層を相変化させて情報を記録する電圧印加部と、を備え、記録層は、AxMyX3(0.1≦x≦1.1、0.75≦y≦1)で表されるイルメナイト構造であって、AとMの少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたd軌道を有する遷移元素であり、AはBe、Mg、Fe、Co、Ni、Cu、Znよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素であり、MはTi、Ge、Sn、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Nb、Ta、Mo、W、Re、Ru、Rhよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素であり、XはO(酸素)、N(窒素)よりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素である第1化合物を含む第1の層を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電極層及び記録層を有する積層構造と、 前記電極層に付加されるバッファ層と、 前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する電圧印加部と、 を備え、 前記記録層は、AxMyX3(0.1≦x≦1.1、0.75≦y≦1)で表されるイルメナイト構造であって、前記Aと前記Mは互いに異なる元素であり、前記Aと前記Mの少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたd軌道を有する遷移元素であり、前記AはBe、Mg、Fe、Co、Ni、Cu、Znよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素であり、前記MはTi、Ge、Sn、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Nb、Ta、Mo、W、Re、Ru、Rhよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素であり、前記XはO(酸素)、N(窒素)よりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素である第1化合物を含む第1の層を有することを特徴とする情報記録再生装置。
IPC (5件):
G11B 9/04 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00
FI (5件):
G11B9/04 ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 A
Fターム (15件):
5F083FZ02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR22
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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