特許
J-GLOBAL ID:200903086501265680

容量式半導体力学量センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-330143
公開番号(公開出願番号):特開2005-098740
出願日: 2003年09月22日
公開日(公表日): 2005年04月14日
要約:
【課題】 容量式半導体加速度センサにおいて、可動電極と固定電極とを長くして感度を上げようとした場合に、体格の増大を極力抑えつつ、これら両電極間のスティッキングを極力防止する。【解決手段】 支持基板15に対して加速度の印加に応じて変位方向Yに変位可能な状態で支持された半導体よりなる梁状の可動電極24と、支持基板15に固定支持されるとともに、側面が可動電極24の側面と対向して配置された半導体よりなる梁状の固定電極32、42とを備え、加速度印加に応じて可動電極24が変位したとき、両電極24、32、42の側面間の静電容量の変化に基づいて印加加速度を検出する加速度センサにおいて、可動電極24と固定電極32、42とでは、どちらか一方の電極の幅が他方の電極の幅よりも広くなっている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
支持基板(15)と、 前記支持基板(15)に対して力学量の印加に応じて所定方向に変位可能な状態で支持された半導体よりなる梁状の可動電極(24)と、 前記支持基板(15)に固定支持されるとともに、側面が前記可動電極(24)の側面と対向して配置された半導体よりなる梁状の固定電極(32、42)とを備え、 力学量の印加に応じて前記可動電極(24)が変位したとき、前記可動電極(24)の側面と前記固定電極(32、42)の側面との間の静電容量の変化に基づいて印加力学量を検出するようになっている容量式半導体力学量センサにおいて、 前記可動電極(24)と前記固定電極(32、42)とでは、どちらか一方の電極の幅が他方の電極の幅よりも広くなっていることを特徴とする容量式半導体力学量センサ。
IPC (2件):
G01P15/125 ,  H01L29/84
FI (2件):
G01P15/125 Z ,  H01L29/84 Z
Fターム (17件):
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA31 ,  4M112CA32 ,  4M112CA36 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112FA01 ,  4M112FA20
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 半導体力学量センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-127419   出願人:株式会社デンソー
審査官引用 (3件)

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