半導体集積回路

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230478
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058761
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】電源電圧の一時的変化に対して誤動作せず、かつ、スタンバイからアクティブに移る際内部電源電圧の降下を抑制する半導体集積回路を提供する。【解決手段】本発明の半導体集積回路は電源電圧の上昇時と降下時の検知レベルを変え、電源電圧の一時的変化に対し誤動作しない検知回路を備える。また、スタンバイ時にPMOS型、アクティブ時にNMOS型の降圧回路を用い、PMOS型降圧回路のスタンバイ時の内部電源電圧をアクティブ時より高く設定することにより、スタンバイ状態からアクティブ状態への移行直後における内部電源電圧の降下を抑制する。降圧回路を外部電源配線の下層に形成し、周辺回路ブロックをその両側の内部電源配線の下層に対称的に配置することにより、電源電圧の給電距離を最小にし、内部電源電圧の制御性を向上させる。

請求項（抜粋）：

電源電圧が上昇して所定の第1の電圧以上となるときに第1の検知信号を出力し、前記電源電圧が降下して前記第1の電圧より低い第2の電圧以下となるときに第2の検知信号を出力する電源電圧検知回路を備えることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 27/04 B , H01L 27/10 434

Fターム (14件)：

5F038BB05 , 5F038BG01 , 5F038BG03 , 5F038BH19 , 5F038DF01 , 5F038DF05 , 5F038DT12 , 5F038EZ20 , 5F083AD00 , 5F083EP00 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083ZA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

電圧検知回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-320507 出願人：松下電器産業株式会社
リセットパルス発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-229702 出願人：三洋電機株式会社
基板電圧制御回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-341952 出願人：ソニー株式会社

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