特許

J-GLOBAL ID：200903086623167205

プローブアレイ及びプローブアレイの製造方法

発明者： 八井 崇 ,  興梠 元伸 ,  大津 元一 ,  高橋 淳一
出願人/特許権者： 財団法人神奈川科学技術アカデミー ,  株式会社リコー
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326169
公開番号（公開出願番号）：特開2001-141635
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 高効率かつ高分解能のプローブアレイであって、各突起部の高さが一定に制御する。【解決手段】 光透過性を有するSi突起部3と、基板2よりも屈折率が高いSiからなり、ガラス基板2上に形成された複数のSi突起部3とを備え、ガラス基板2から光を入射して、各Si突起部3の先鋭部分で近接場光又は伝搬光(近接場光でない光)又は両方を発生させる。光透過性を有するガラス基板2と、SiからなるSOIウエハ、SOIウエハ上に積層されたSiO2層と、SiO2層上に積層されたSi支持基板からなるSOI基板と、を陽極接合により接合し、SOI基板に含まれるSi支持基板を除去し、SiO2層をパターニングし、SOIウエハをエッチングし、パターニングされたSiO2層を除去して、ガラス基板2上にSiからなる複数のSi突起部3を備えるプローブアレイ1を作成する。

請求項（抜粋）：

光透過性を有する基板と、上記基板上に形成され、上記基板よりも屈折率が高い材料からなり、先端位置が揃った錐状の複数の突起部とを備え、上記各突起部は、上記基板からの光を入射して、先端部分で近接場光、或いは伝搬光、或いは近接場光及び伝搬光の両方を発生させることを特徴とするプローブアレイ。

IPC (2件)：

G01N 13/14 ,  G01B 11/24

FI (2件)：

G01N 13/14 B ,  G01B 11/24 Z

Fターム (15件)：

2F065AA00 ,  2F065BB05 ,  2F065CC21 ,  2F065GG06 ,  2F065GG13 ,  2F065GG22 ,  2F065HH13 ,  2F065HH15 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ22 ,  2F065LL01 ,  2F065LL02 ,  2F065PP24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光プローブ素子、光プローブ素子を用いた記録再生装置、および光プローブ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-121710   出願人：シャープ株式会社
• 微小開口の形成方法と微小開口を有する突起、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ、並びに該プローブを用いた表面観察装置、露光装置、情報処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-244807   出願人：キヤノン株式会社
• 微小突起を有するプローブ、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-218505   出願人：キヤノン株式会社
• 光プローブおよびその製造方法ならびに光ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-265688   出願人：ティーディーケイ株式会社