特許
J-GLOBAL ID：200903086664959922

半導体装置及びその製造方法

発明者：
村田 智洋

村田 智洋 について

, 
廣瀬 裕

廣瀬 裕 について

, 
上本 康裕

上本 康裕 について

, 
田中 毅

田中 毅 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-372881
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210105
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 III-V族窒化物半導体を用いた半導体装置において、III-V族窒化物半導体の上面のトラップに起因する周波数分散を確実に抑制できるようにする。 【解決手段】 基板11の上にAlNからなるバッファ層12、アンドープのGaNからなるチャネル層13及びAlGaNからなるキャリア供給層14とが順次形成されており、キャリア供給層14の上部には断面V字形状の凹部14bが設けられている。キャリア供給層14の上には、凹部14bを充填するようにゲート電極15が設けられていると共に、ゲート電極15の側方に間隔をおいてソース電極16及びドレイン電極17が設けられている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
キャリアが走行するチャネル領域を有するIII-V族窒化物半導体層と、 前記III-V族窒化物半導体層における前記チャネル領域の上側の部分に設けられた凹部と、 前記III-V族窒化物半導体層の上に前記凹部及び該凹部両側の周辺部に亘る半導体層の上に形成され該半導体層との間にショットキ接合部を形成する導電性物質からなるショットキ電極とを備え、 前記凹部は、前記ショットキ電極における前記凹部に設けられた部分が前記チャネル領域を走行するキャリア量を調整できるように深さ方向の寸法が設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/80 F ,  H01L29/50 J
Fターム (39件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB23 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD12 ,  4M104FF06 ,  4M104FF07 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC29
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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