特許
J-GLOBAL ID：200903086705676418

樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物

発明者：
堤 康章

堤 康章 について

, 
田中 正幸

田中 正幸 について


出願人/特許権者：
東レ株式会社

東レ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180916
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022049
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】樹脂封止型半導体装置の小型化、高性能化を図りつつ密着性、信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物および該エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置を提供することにある。【解決手段】図1に示すような半導体素子1と、該半導体素子が搭載される基板2と、該半導体素子を封止するエポキシ樹脂組成物3とを具備する半導体装置であって、該基板に対して片面にのみ該エポキシ樹脂組成物が成形されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置であって、かつ該エポキシ樹脂組成物がエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤を含有し、該樹脂組成物の硬化物の23°Cでの曲げ弾性率が10GPaを超え、30GPa以下、23°Cからガラス転移温度までの線膨張係数が4〜20×10-6/K、23°Cでの曲げ弾性率と23°Cからガラス転移温度までの線膨張係数の積が3×10-4GPa/Kで以下であって、かつガラス転移温度が150°C以上であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、該半導体素子が搭載される基板と、該半導体素子を封止するエポキシ樹脂組成物の硬化物とを具備する半導体装置であって、該基板に対して片面にのみ該エポキシ樹脂組成物が成形されており、かつ該エポキシ樹脂組成物がエポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、無機充填剤(C)を含有し、該エポキシ樹脂組成物の硬化物の、23°Cでの曲げ弾性率が、10GPaを超え、30GPa以下、23°Cからガラス転移温度までの線膨張係数が4×10-6〜20×10-6/K、かつ23°Cでの曲げ弾性率と23°Cからガラス転移温度までの線膨張係数との積が3×10-4GPa/K以下であって、さらに該エポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が150°C以上であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00
FI (3件)：
H01L 23/30 R ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C
Fターム (56件)：
4J002BC12X ,  4J002CC04X ,  4J002CC05X ,  4J002CC06X ,  4J002CD01W ,  4J002CD02W ,  4J002CD04W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002CD12W ,  4J002CE00X ,  4J002DE077 ,  4J002DE097 ,  4J002DE137 ,  4J002DE147 ,  4J002DE237 ,  4J002DJ007 ,  4J002DJ017 ,  4J002DJ027 ,  4J002DJ047 ,  4J002DL007 ,  4J002EF006 ,  4J002EJ016 ,  4J002EJ046 ,  4J002EL136 ,  4J002EL146 ,  4J002EN036 ,  4J002EN076 ,  4J002EV216 ,  4J002FA047 ,  4J002FB097 ,  4J002FB167 ,  4J002FD017 ,  4J002FD090 ,  4J002FD130 ,  4J002FD14X ,  4J002FD140 ,  4J002FD146 ,  4J002FD160 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA09 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  4M109EA03 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB13 ,  4M109EB17 ,  4M109EB19 ,  4M109EC03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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