特許
J-GLOBAL ID：200903086802574204

基板処理装置

発明者：
橋詰 彰夫

橋詰 彰夫 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-271167
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086411
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 洗浄後にシリル化処理を行ってドライプロセスによるダメージを回復させることにより、低誘電率被膜の特性を回復させることができる。【解決手段】 洗浄ユニット23で洗浄処理を行った後、シリル化ユニット33でシリル化材料を基板Wに供給してシリル化処理を行うので、洗浄により清浄化されてダメージ部分が露出した被膜がシリル化され、その被膜の誘電率を元の状態に戻すことができる。したがって、ダメージ部分をエッチングして除去する等の余分な処理を行うことなく、低誘電率被膜の特性を回復させることができる。また、洗浄ユニット23による洗浄処理に続けてシリル化ユニット33によるシリル化処理に移ることにより、洗浄により露出した部分が酸化する等の悪影響を防止できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
低誘電率被膜が被着されている基板をドライプロセスにより処理し、低誘電率被膜にダメージを受けた基板を処理する基板処理装置において、 前記基板上に生成された反応生成物を除去する洗浄ユニットと、 前記洗浄ユニットで処理された基板に対して、前記低誘電率被膜の誘電率を回復させるシリル化材料を供給手段から供給してシリル化処理を行うシリル化ユニットと、 を備えていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
H01L21/302 106 ,  H01L21/02 Z ,  H01L21/30 572A ,  H01L21/30 570
Fターム (6件)：
5F004AA07 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DB24 ,  5F046LB09 ,  5F046MA18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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