特許
J-GLOBAL ID：200903086850576286

パターン形成方法

発明者：
漢那 慎一

漢那 慎一 について

, 
山中 司

山中 司 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-319452
公開番号（公開出願番号）：特開2005-084591
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 超臨界流体を用いたリンス液乾燥プロセスにおいて、ウエハー上のパターン表面微小孔(マイクロバブル)が低減した化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法の提供をする。【解決手段】 酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、沸点167°C以下の溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布する工程(a)、加熱処理Aを行い基板上にレジスト膜を形成する工程(b)、レジスト膜に活性光線または放射線を照射する工程(c)、加熱処理Bを行う工程(d)、現像処理を行う工程(e)、必要に応じてリンス処理を行う工程(f)、超臨界流体によりパターン上に付着している現像液又はリンス液を除去する工程(g)を含むパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、 沸点167°C以下の溶剤を含むレジスト組成物を 基板上に塗布する工程(a)、 加熱処理Aを行い基板上にレジスト膜を形成する工程(b)、 レジスト膜に活性光線または放射線を照射する工程(c)、 加熱処理Bを行う工程(d)、 現像処理を行う工程(e)、必要に応じてリンス処理を行う工程(f)、 超臨界流体によりパターン上に付着している現像液又はリンス液を除去する工程(g) を含むパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/40 ,  H01L21/30 569F
Fターム (25件)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096CA12 ,  2H096DA01 ,  2H096EA04 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096GA17 ,  2H096GA20 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14 ,  5F046LA19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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