特許
J-GLOBAL ID：200903087524754138
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223803
公開番号（公開出願番号）：特開2003-035961
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターンにパターン倒れが発生しないようにする。【解決手段】 フッ素原子及び親水性基を含むベースポリマーと、架橋剤と、酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜11を形成した後、該レジスト膜11にフォトマスク12を介してF2 レーザ光13を照射してパターン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜11に対して超臨界流体16中で現像を行なって、レジスト膜11の未露光部11bからなるレジストパターン18を形成する。
請求項（抜粋）：
フッ素原子及び親水性基を含むベースポリマーと、架橋剤と、酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを介して露光光を照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜に対して超臨界流体中で現像を行なって、前記レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/32
, G03F 7/038 601
, H01L 21/027
G03F 7/32
, G03F 7/038 601
, H01L 21/30 569 B
2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025BE00
, 2H025CB41
, 2H025CC17
, 2H025FA14
, 2H096AA25
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096GA01
, 2H096GA60
, 5F046LA09
, 5F046LA12
, 5F046LA14
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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