特許
J-GLOBAL ID：200903086935081936

半導体装置

発明者：
吉原 克彦

吉原 克彦 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-296727
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072098
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】リードフレームの半田接合面に突起を形成して半田層厚のバラツキを防ぐようにした上で、この突起を簡易な製法で形成できるように改良する。【解決手段】絶縁基板1の銅回路パターン2にリードフレーム3を半田接合する半導体装置の接合構造において、リードフレーム, あるいは銅回路パターンのいずれか一方の半田接合面に半田層5の厚さ対応する凸状の突起7を形成するものとし、この突起を次記の手法によって形成する。 (1) アルミ材または銅材を半田接合面に超音波接合して突起を形成する。(2) 半田接合面にエッチングを施して突起を成形する。(3) 半田接合面に導電性接着剤を塗布して突起を形成する。(4) 半田の溶融温度に耐える耐熱性絶縁性材料で突起を形成するものとし、具体的な態様として半田接合面に耐熱性樹脂を塗布して形成する、あるいは耐熱性粘着テープを貼着して形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板の銅回路パターンもしくは銅回路パターン上にマウントした半導体チップにリードフレームを半田接合した接続構造を有する半導体装置において、 前記リードフレーム, 銅回路パターンのいずれか一方の半田接合面に半田層の厚さに相応した凸状の突起を形成するものとし、かつ該突起を半田接合面に超音波接合したアルミ材または銅材で形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L21/60
FI (1件)：
H01L21/60 321E
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-269190   出願人：株式会社日立ユニシアオートモティブ
  • 特開昭54-19658号公報
審査官引用 (5件)
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